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TPS53353DQPR,集成電路的封裝種類①直插式封裝直插式封裝集成電路是引腳插入印制板中,然后再焊接的一種集成電路封裝形式,主要有單列式封裝和雙列直插式封裝。其中單列式封裝有單列直插式封裝(SingleInlinePackage,縮寫為SIP和單列直插式封裝(Zig-ZagInlinePackage,縮寫為ZIP),單列直插式封裝的集成電路只有一排引腳,單列曲插式封裝的集成電路一排引腳又分成兩排進(jìn)行安裝。雙列直插式封裝又稱DIP封裝(DualInlinePackage),這種封裝的集成電路具有兩排引腳。適合PCB的穿孔安裝;易于對PCB布線;安裝方便。雙列直插式封裝的結(jié)構(gòu)形式主要有多層陶瓷雙列直插式封裝、單層陶瓷雙列直插式封裝、引線框架式封裝等。小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路,使電子產(chǎn)品向著高效能低能耗高精度高穩(wěn)定智能化的方向發(fā)展。北京貿(mào)易TPS53353DQPR分銷商
在使用TPS53353DQPR開始布局工作之前,必須考慮某些要點(diǎn)。
電源部件應(yīng)放置在PCB的一側(cè)(焊接側(cè))。應(yīng)插入至少一個內(nèi)部平面,并將其接地,以屏蔽和隔離小信號跡線與噪聲電源線。
所有敏感的模擬跡線和組件,如VFB、PGOOD、TRIP、MODE和RF,應(yīng)遠(yuǎn)離高壓開關(guān)節(jié)點(diǎn),如LL、VBST,以避免耦合。使用內(nèi)層作為接地平面,并屏蔽電源跡線和組件的反饋跡線。
將VIN去耦電容器盡可能靠近VIN和PGND引腳,以至大限度地減少輸入交流電流回路。
因?yàn)門PS53353DQPR根據(jù)VOUT電容器兩端的電壓控制輸出電壓,所以分壓器的頂側(cè)電阻器應(yīng)連接到VOUT電容的正節(jié)點(diǎn)。底側(cè)電阻器的GND應(yīng)連接到設(shè)備的GND焊盤。從這些電阻器到VFB引腳的跡線應(yīng)該短而薄。
將頻率設(shè)置電阻器(RF)、OCP設(shè)置電阻器(RTRIP)和模式設(shè)置電阻器(RMODE)盡可能靠近設(shè)備。如果適用,使用公共GND過孔將它們連接到GND平面。
將VDD和VREG去耦電容器盡可能靠近設(shè)備。確保為每個去耦電容器提供GND過孔,并使環(huán)路盡可能小。
定義為開關(guān)節(jié)點(diǎn)的PCB跡線,連接LL引腳和電感器的高壓側(cè),應(yīng)盡可能短和寬。
從陶瓷輸出電容器的端子連接紋波注入VOUT信號(圖8-4中C1電容器的VOUT側(cè))。交流耦合電容器應(yīng)放置在設(shè)備附近,R7和C1可放置在功率級附近。
上??孔V渠道TPS53353DQPR性價比電子元件的基礎(chǔ)是電阻器。將電阻引入電路中的無源電子元件。使用電阻器可以減少電流,晶體管的設(shè)置偏置等。
TPS53353DQPR
降壓開關(guān)穩(wěn)壓器,矩形脈沖被提供給晶體管的基極。在脈沖的每個周期期間,晶體管在飽和和截止之間變化。這會在LC濾波器的輸入端產(chǎn)生矩形電壓。阻斷濾波器輸入電壓的交流分量,允許直流分量通過濾波器。當(dāng)晶體管保持開關(guān)時,平均值總是小于輸入電壓。
升壓開關(guān)穩(wěn)壓器,矩形脈沖被提供給晶體管的基極。在脈沖的每個周期期間,晶體管在飽和和截止之間變化。當(dāng)晶體管飽和時,電流流過電感器。當(dāng)晶體管切換到截止時,由于其周圍的磁場突然崩潰,將在電感線圈上感應(yīng)出大的電壓。因此,電流保持在相同方向上流動。該電路稱為“升壓”開關(guān)調(diào)節(jié)器,因?yàn)殡姼衅鞲袘?yīng)的電壓將大于輸入電壓。
極性反轉(zhuǎn)開關(guān)穩(wěn)壓,當(dāng)晶體管飽和時,電流流過電感。當(dāng)晶體管切換到截止時,由于其周圍的磁場突然崩潰,將在電感線圈上感應(yīng)出大的電壓。因此,電流保持在同一方向流動。由于晶體管截止,的路徑是通過電容器。如果檢查通過電容器的充電電流的方向,則發(fā)現(xiàn)輸出電壓為負(fù)。
TPS53353DQPR是一種D-CAPTM模式,20-a同步切換器,帶有集成MOSFET。它是為易于使用、低外部組件數(shù)量和空間意識電源系統(tǒng)而設(shè)計(jì)的。該器件具有5.5-mΩ/2.2-mΩ集成MOSFET、精確1%、0.6-V參考電壓和集成升壓開關(guān)。具有競爭力的功能包括:1.5V至15V的轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍,非常低的外部元件數(shù)量,用于超快瞬態(tài)的D-CAPTM模式控制,自動跳過模式操作,內(nèi)部軟啟動控制,可選擇頻率,無需補(bǔ)償。轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍為1.5伏至15伏,電源電壓范圍為4.5伏至25伏,輸出電壓范圍為0.6伏至5.5伏。集成電路英文為縮寫為IC,也俗稱芯片。在電路中用“U”表示。
TPS53353DQPR,集成電路的封裝種類,厚膜封裝厚膜集成電路就是把的集成電路芯片與相關(guān)的電容、電阻元件都集成在一個基板上,然后在其外部采用標(biāo)準(zhǔn)的封裝形式,并引出引腳的一種模塊化的集成電路。
復(fù)合器件指由多個相同或不同器件制造或組合在一起的器件,稱為復(fù)合器件。
電阻復(fù)合采用多個阻值完全相同的電阻把一端并接在一起作為公共端構(gòu)成的電阻排。
電容復(fù)合采用多個容量完全相同的單體電容把其一端并接起來作為公共端構(gòu)成的電容排或者在同一制造中封裝在一起構(gòu)成。
電感與電容復(fù)合指把多個電感線圈與電容按一定連接方式連接在一起構(gòu)成,多用于濾波器。
半橋堆由兩個整流二極管封裝在一起構(gòu)成,多用于整流電路等。
全橋堆簡稱橋堆,由四個整流二極管按一定方式連接在一起構(gòu)成,常用于整流電路中。
帶分壓電阻(帶阻)三極管指基極與發(fā)射極之間接有分壓電阻的三極管。
帶阻尼二管及分流電阻的三極管
復(fù)合管(達(dá)林頓管)由兩個三極管復(fù)合而成,復(fù)合管的極性與前管極性相同,復(fù)合管的放大倍數(shù)為兩管放大倍數(shù)乘積。
光電耦合器把一個發(fā)光二極管和一個光敏三極管封裝在一起構(gòu)成光電耦合器。常見有四腳光電耦合器和六腳光電耦合器。集成電路按其功能、結(jié)構(gòu)的不同,可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)/模混合集成電路三大類。四川靠譜渠道TPS53353DQPR性價比
普通的電阻電容晶體管等單個電子元件統(tǒng)稱分立元件。分立元件就是功能單一,內(nèi)部無其它元件功能單元。北京貿(mào)易TPS53353DQPR分銷商
TPS53353DQPR,集成電路,電感器的種類:
空芯電感:指線圈繞在空心支架上或直接繞制而成的電感。
磁芯電感:指線圈繞在磁芯上(即線圈里面有磁芯)形成的。
銅芯電感:指線圈繞在銅芯上的電感。
鐵芯電感:指線圈繞在鐵芯上的電感。
帶抽頭電感:指線圈上抽出一個或多個抽頭的電感。
電感的特性具有通直流阻交流,通低頻阻高頻的特性。
電感的自感作用當(dāng)通過電感線圈的電流發(fā)生變化時,線圈將產(chǎn)生一個自感電動勢來阻礙電流的變化,這種作用叫電感的自感作用。北京貿(mào)易TPS53353DQPR分銷商
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硅酸鹽制品 以石灰(消石灰粉或生石灰粉)與硅質(zhì)材料(砂、粉煤灰、火山灰、礦渣等)為主要原料,經(jīng)過配料、拌合、成型和養(yǎng)護(hù)后可制得磚、砌塊等各種制品。因內(nèi)部的膠凝物質(zhì)主要是水化硅酸鈣,所以稱為硅酸鹽制品, 。
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但是傳統(tǒng)個人計(jì)算機(jī)的耗電量是非常大的,一般來說,每臺傳統(tǒng)個人計(jì)算機(jī)的功耗在 200W 左右,即使它處于空閑狀態(tài)時耗電量也至少在 100W 左右,按照每天 10 個小時,每年 240 天工作來計(jì)算,每臺 。